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IS42SM32160E-6BLI-TR

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IS42SM32160E-6BLI-TR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

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제품 상태 Active
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 DRAM
기술 SDRAM - Mobile
메모리 크기 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 166 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 5.5 ns
전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 90-TFBGA
공급업체 장치 패키지 90-TFBGA (8x13)
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