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IS61NLP25636A-200B3LI

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IS61NLP25636A-200B3LI

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

IS61NLP25636A-200B3LI 데이터 시트

compliant

IS61NLP25636A-200B3LI 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Active
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 SRAM
기술 SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 200 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 3.1 ns
전압 - 공급 3.135V ~ 3.465V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 165-TBGA
공급업체 장치 패키지 165-TFBGA (13x15)
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