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FII30-12E

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IXYS

IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

비준수

FII30-12E 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
igbt 유형 NPT
구성 Half Bridge
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 1200 V
전류-수집기(ic) (최대) 33 A
전력 - 최대 150 W
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단(최대) 200 µA
입력 커패시턴스(cies) @ vce 1.2 nF @ 25 V
입력 Standard
ntc 서미스터 No
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 i4-Pac™-5
공급업체 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™
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