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GWM160-0055P3

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IXYS

MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL

비준수

GWM160-0055P3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 55V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 160A
rds on (max) @ id, vgs 3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 90nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
전력 - 최대 -
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 17-SMD, Flat Leads
공급업체 장치 패키지 ISOPLUS-DIL™
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