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IXDI602SIATR

IXDI602SIATR

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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

비준수

IXDI602SIATR 가격 및 주문

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2,000 $0.56000 -
1 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
구동 구성 Low-Side
채널 유형 Independent
운전자 수 2
게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압 - 공급 4.5V ~ 35V
논리 전압 - vil, vih 0.8V, 3V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 2A, 2A
입력 유형 Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) -
상승/하강 시간(일반) 7.5ns, 6.5ns
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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