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IXFA10N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

비준수

IXFA10N60P 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.91000 $2.91
50 $2.34000 $117
100 $2.13200 $213.2
500 $1.72640 $863.2
1,000 $1.45600 -
144 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1610 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 200W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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