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IXFN170N65X2

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IXFN170N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B

비준수

IXFN170N65X2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $37.92000 $37.92
10 $35.07600 $350.76
100 $29.95680 $2995.68
1 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 170A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 13mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 8mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 434 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 27000 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1170W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-227B
패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
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