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IXFN180N25T

IXFN180N25T

IXFN180N25T

IXYS

MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B

compliant

IXFN180N25T 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $18.70000 $18.7
10 $17.00000 $170
30 $15.72500 $471.75
100 $14.45000 $1445
250 $13.17500 $3293.75
500 $12.32500 $6162.5
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 250 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 168A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 12.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 8mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 345 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 28000 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 900W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-227B
패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
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