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IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

IXYS

MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

compliant

IXFN50N80Q2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $43.49000 $43.49
10 $40.67200 $406.72
30 $37.61600 $1128.48
100 $35.26500 $3526.5
250 $32.91400 $8228.5
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 800 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 160mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5.5V @ 8mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 13500 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1135W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-227B
패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
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