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IXTA02N250HV

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IXYS

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB

비준수

IXTA02N250HV 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $9.50000 $9.5
50 $7.79000 $389.5
100 $7.03000 $703
500 $5.89000 $2945
1,000 $5.32000 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 2500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 200mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 450Ohm @ 50mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 116 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263AA
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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