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IXTA28P065T

IXTA28P065T

IXTA28P065T

IXYS

MOSFET P-CH 65V 28A TO263

compliant

IXTA28P065T 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
50 $1.70000 $85
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 65 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 28A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 45mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs(최대) ±15V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2030 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263AA
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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