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IXTP60N10T

IXTP60N10T

IXTP60N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

compliant

IXTP60N10T 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.89000 $1.89
50 $1.52500 $76.25
100 $1.37250 $137.25
500 $1.06750 $533.75
1,000 $0.88450 -
2,500 $0.85400 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 18mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 50µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2650 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 176W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220-3
패키지 / 케이스 TO-220-3
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