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IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

IXYS

MOSFET N-CH 1700V 2A TO268

compliant

IXTT2N170D2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $19.07000 $19.07
30 $16.03967 $481.1901
120 $14.73900 $1768.68
510 $12.57151 $6411.4701
542 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 1700 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2A (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 6.5Ohm @ 1A, 0V
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 110 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3650 pF @ 25 V
FET 기능 Depletion Mode
전력 소모(최대) 568W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-268AA
패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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