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IXTX6N200P3HV

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IXYS

MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV

비준수

IXTX6N200P3HV 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $51.25000 $51.25
30 $44.32000 $1329.6
120 $41.55000 $4986
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 2000 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 4Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 143 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3700 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 960W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247PLUS-HV
패키지 / 케이스 TO-247-3 Variant
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