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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | P-Channel |
| 전압 - 파괴 (v(br)gss) | 25 V |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 25 V |
| 현재 - 드레인(idss) @ vds(vgs=0) | 2.6 mA @ 10 V |
| 현재 드레인(id) - 최대 | 10 mA |
| 전압 - 차단 (vgs off) @ id | 150 mV @ 1 µA |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 105pF @ 10V |
| 저항 - rds(on) | - |
| 전력 - 최대 | 400 mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-92 |
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