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APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

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MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

비준수

APTM100H35FT3G 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 4 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 1000V (1kV)
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 22A
rds on (max) @ id, vgs 420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 2.5mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 186nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 5200pF @ 25V
전력 - 최대 390W
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 SP3
공급업체 장치 패키지 SP3
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