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APTM100UM45FAG

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MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 1000 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 215A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 52mOhm @ 107.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 30mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 1602 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 42700 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5000W (Tc)
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
공급업체 장치 패키지 SP6
패키지 / 케이스 SP6
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