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APTM120H29FG

APTM120H29FG

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MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

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제품 상태 Active
FET 유형 4 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 1200V (1.2kV)
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 34A
rds on (max) @ id, vgs 348mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 5mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 374nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 10300pF @ 25V
전력 - 최대 780W
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 SP6
공급업체 장치 패키지 SP6
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