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LND150K1-G

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MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 13mA (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 0V
rds on (max) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 10 pF @ 25 V
FET 기능 Depletion Mode
전력 소모(최대) 360mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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