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MCP14E9T-E/SN

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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

비준수

MCP14E9T-E/SN 가격 및 주문

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제품 상태 Active
구동 구성 Low-Side
채널 유형 Independent
운전자 수 2
게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압 - 공급 4.5V ~ 18V
논리 전압 - vil, vih 0.8V, 2.4V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 3A, 3A
입력 유형 Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) -
상승/하강 시간(일반) 14ns, 17ns
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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