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MQ2N5115UB/TR

MQ2N5115UB/TR

MQ2N5115UB/TR

JFET

비준수

MQ2N5115UB/TR 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $82.17000 $82.17
500 $81.3483 $40674.15
1000 $80.5266 $80526.6
1500 $79.7049 $119557.35
2000 $78.8832 $157766.4
2500 $78.0615 $195153.75
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
전압 - 파괴 (v(br)gss) 30 V
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 드레인(idss) @ vds(vgs=0) 15 mA @ 15 V
현재 드레인(id) - 최대 -
전압 - 차단 (vgs off) @ id 3 V @ 1 nA
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 25pF @ 15V
저항 - rds(on) 100 Ohms
전력 - 최대 500 mW
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 3-SMD, No Lead
공급업체 장치 패키지 UB
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