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MV2N5116

MV2N5116

MV2N5116

P CHANNEL JFET

MV2N5116 데이터 시트

비준수

MV2N5116 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
전압 - 파괴 (v(br)gss) 30 V
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 드레인(idss) @ vds(vgs=0) 25 mA @ 15 V
현재 드레인(id) - 최대 -
전압 - 차단 (vgs off) @ id 6 V @ 1 nA
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 27pF @ 15V
저항 - rds(on) 100 Ohms
전력 - 최대 500 mW
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급업체 장치 패키지 TO-18 (TO-206AA)
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