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TC8220K6-G

TC8220K6-G

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MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN

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TC8220K6-G 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 2 N and 2 P-Channel
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 200V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c -
rds on (max) @ id, vgs 6Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.4V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 56pF @ 25V
전력 - 최대 -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 12-VFDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 12-DFN (4x4)
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