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TN0604N3-G-P013

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MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

비준수

TN0604N3-G-P013 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 700mA (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 750mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.6V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 190 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 740mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-92-3
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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