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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR 데이터 시트

비준수

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Active
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 DRAM
기술 SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 533 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 -
전압 - 공급 1.14V ~ 1.95V
작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 134-VFBGA
공급업체 장치 패키지 134-VFBGA (10x11.5)
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