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EDB4064B4PB-1D-F-R TR

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EDB4064B4PB-1D-F-R TR

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA

EDB4064B4PB-1D-F-R TR 데이터 시트

compliant

EDB4064B4PB-1D-F-R TR 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Active
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 DRAM
기술 SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 533 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 -
전압 - 공급 1.14V ~ 1.95V
작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 216-WFBGA
공급업체 장치 패키지 216-WFBGA (12x12)
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