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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Micron Technology Inc.

IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ

MT29E3T08EUHBBM4-3:B 데이터 시트

compliant

MT29E3T08EUHBBM4-3:B 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Not For New Designs
메모리 유형 Non-Volatile
메모리 형식 FLASH
기술 FLASH - NAND
메모리 크기 3Tb (384G x 8)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 333 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 -
전압 - 공급 2.5V ~ 3.6V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형 -
패키지 / 케이스 -
공급업체 장치 패키지 -
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