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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR 데이터 시트

비준수

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Active
메모리 유형 Non-Volatile
메모리 형식 FLASH
기술 FLASH - NAND
메모리 크기 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 333 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 -
전압 - 공급 2.5V ~ 3.6V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 132-VBGA
공급업체 장치 패키지 132-VBGA (12x18)
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