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APTGT100A120D1G

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APTGT100A120D1G

APTGT100A120D1G

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1

APTGT100A120D1G 데이터 시트

비준수

APTGT100A120D1G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
위시리스트에 추가
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름 값
제품 상태 Obsolete
igbt 유형 Trench Field Stop
구성 Half Bridge
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 1200 V
전류-수집기(ic) (최대) 150 A
전력 - 최대 520 W
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단(최대) 3 mA
입력 커패시턴스(cies) @ vce 7 nF @ 25 V
입력 Standard
ntc 서미스터 No
작동 온도 -
장착 유형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 D1
공급업체 장치 패키지 D1
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