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BSH103,215

BSH103,215

BSH103,215

Nexperia USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB

compliant

BSH103,215 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
319772 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 850mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V
rds on (max) @ id, vgs 400mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 400mV @ 1mA (Min)
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 2.1 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 83 pF @ 24 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 540mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-236AB
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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