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PDTA123JQB-QZ

PDTA123JQB-QZ

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Nexperia USA Inc.

PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

비준수

PDTA123JQB-QZ 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
전류-수집기(ic) (최대) 100 mA
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 50 V
저항기 - 베이스(r1) 2.2 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(r2) 47 kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce 100 @ 10mA, 5V
vce 포화도(최대) @ ib, ic 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단(최대) 100nA
주파수 - 전환 180 MHz
전력 - 최대 340 mW
장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank
패키지 / 케이스 3-XDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 DFN1110D-3
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