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PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118

Nexperia USA Inc.

MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK

compliant

PHB32N06LT,118 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
800 $0.62540 $500.32
1,600 $0.56513 -
2,400 $0.52745 -
5,600 $0.50108 -
20,000 $0.48224 -
5973 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 34A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 5V
rds on (max) @ id, vgs 37mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 17 nC @ 5 V
vgs(최대) ±15V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1280 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 97W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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