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PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ

Nexperia USA Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

SOT-23

비준수

PMDXB600UNEZ 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
5,000 $0.20735 -
10,000 $0.19305 -
25,000 $0.18304 -
50,000 $0.18200 -
50216 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 600mA
rds on (max) @ id, vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 950mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 21.3pF @ 10V
전력 - 최대 265mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 DFN1010B-6
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