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PMFPB8032XP,115

PMFPB8032XP,115

PMFPB8032XP,115

Nexperia USA Inc.

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

비준수

PMFPB8032XP,115 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.29520 -
6,000 $0.27760 -
15,000 $0.26880 -
30,000 $0.26400 -
2680 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 8.6 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 550 pF @ 10 V
FET 기능 Schottky Diode (Isolated)
전력 소모(최대) 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 6-HUSON (2x2)
패키지 / 케이스 6-UFDFN Exposed Pad
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