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PMPB55ENEAX

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Nexperia USA Inc.

MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6

비준수

PMPB55ENEAX 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.23460 -
6,000 $0.22140 -
15,000 $0.20820 -
30,000 $0.19896 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 56mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.7V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 435 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.65W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 DFN2020MD-6
패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
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