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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
전압 - 파괴 (v(br)gss) | 25 V |
드레인-소스 전압(vdss) | - |
현재 - 드레인(idss) @ vds(vgs=0) | 4 mA @ 15 V |
현재 드레인(id) - 최대 | 30 mA |
전압 - 차단 (vgs off) @ id | 500 mV @ 10 nA |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 5pF @ 15V |
저항 - rds(on) | - |
전력 - 최대 | 350 mW |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
공급업체 장치 패키지 | TO-92 |
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