BLA6G1011L-200RG112 NXP USA Inc. ichome.com에서

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BLA6G1011L-200RG112

제조업체 부품 번호:BLA6G1011L-200RG112

제조업체:NXP USA Inc.

설명:POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (

데이터 시트:BLA6G1011L-200RG112 데이터 시트

RoHs 상태:compliant

수량	단가	추가 가격
1	$547.28000	$547.28
500	$541.8072	$270903.6
1000	$536.3344	$536334.4
1500	$530.8616	$796292.4
2000	$525.3888	$1050777.6
2500	$519.916	$1299790

재고 있음: 40 items

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명세서
데이터 시트

이름	값
제품 상태	Active
트랜지스터 유형	-
전류-수집기(ic) (최대)	-
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대)	-
vce 포화도(최대) @ ib, ic	-
전류-수집기 차단(최대)	-
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce	-
전력 - 최대	-
주파수 - 전환	-
작동 온도	-
장착 유형	-
패키지 / 케이스	-
공급업체 장치 패키지	-

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