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BLF8G10LS-160,112

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BLF8G10LS-160,112

BLF8G10LS-160,112

NXP USA Inc.

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F

BLF8G10LS-160,112 데이터 시트

비준수

BLF8G10LS-160,112 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
60 $65.99833 $3959.8998
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이름 값
제품 상태 Active
트랜지스터 유형 LDMOS
빈도 920MHz ~ 960MHz
얻다 19.7dB
전압 - 테스트 30 V
현재 정격 (암페어) 5µA
잡음 지수 -
현재 - 테스트 1.1 A
전력 - 출력 35W
전압 - 정격 65 V
패키지 / 케이스 SOT-502B
공급업체 장치 패키지 SOT502B
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