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BUK769R6-80E,118

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NXP Semiconductors

NEXPERIA BUK769R6-80E - 75A, 80V

비준수

BUK769R6-80E,118 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
4,800 $0.71863 -
486 items
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 75A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 59.8 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4682 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 182W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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