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BUK9E1R9-40E,127

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BUK9E1R9-40E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V I2PAK

비준수

BUK9E1R9-40E,127 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
5048 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 120A (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs -
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 I2PAK
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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