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PDTA115EMB,315

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NXP USA Inc.

NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL

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PDTA115EMB,315 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
전류-수집기(ic) (최대) 20 mA
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 50 V
저항기 - 베이스(r1) 100 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(r2) 100 kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce 80 @ 5mA, 5V
vce 포화도(최대) @ ib, ic 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단(최대) 1µA
주파수 - 전환 180 MHz
전력 - 최대 250 mW
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883
공급업체 장치 패키지 DFN1006B-3
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