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PH6530AL115

PH6530AL115

PH6530AL115

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

PH6530AL115 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
4500 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c -
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs -
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669
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