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PMF63UN,115

PMF63UN,115

PMF63UN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3

비준수

PMF63UN,115 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.06000 $0.06
500 $0.0594 $29.7
1000 $0.0588 $58.8
1500 $0.0582 $87.3
2000 $0.0576 $115.2
2500 $0.057 $142.5
32725 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 3.3 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 185 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SC-70
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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