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PMV30UN,215

PMV30UN,215

PMV30UN,215

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB

비준수

PMV30UN,215 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.07000 $0.07
500 $0.0693 $34.65
1000 $0.0686 $68.6
1500 $0.0679 $101.85
2000 $0.0672 $134.4
2500 $0.0665 $166.25
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 5.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 36mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 700mV @ 1mA (Typ)
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 7.4 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 460 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.9W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23 (TO-236AB)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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