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FDA38N30

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN

FDA38N30 데이터 시트

compliant

FDA38N30 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.19000 $3.19
10 $2.86000 $28.6
450 $2.13947 $962.7615
900 $1.75183 $1576.647
1,350 $1.64109 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 300 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 38A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 85mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2600 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 312W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-3PN
패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
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