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FDB1D7N10CL7

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK

compliant

FDB1D7N10CL7 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
800 $8.05524 $6444.192
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 268A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 15V
rds on (max) @ id, vgs 1.65mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 700µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 163 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 11600 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 250W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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