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FDC3601N

FDC3601N

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onsemi

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

FDC3601N 데이터 시트

compliant

FDC3601N 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.24914 -
6,000 $0.23196 -
15,000 $0.22337 -
30,000 $0.21868 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 100V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1A
rds on (max) @ id, vgs 500mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 5nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 153pF @ 50V
전력 - 최대 700mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-6
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