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FDC604P

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

FDC604P 데이터 시트

비준수

FDC604P 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.19573 -
6,000 $0.18311 -
15,000 $0.17048 -
30,000 $0.16164 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 5.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 30 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1926 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.6W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-6
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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