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FDC610PZ

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6

FDC610PZ 데이터 시트

compliant

FDC610PZ 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.20494 -
6,000 $0.19172 -
15,000 $0.17850 -
30,000 $0.16924 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 42mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs(최대) ±25V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1005 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.6W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-6
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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