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FDC655BN

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

SOT-23

FDC655BN 데이터 시트

비준수

FDC655BN 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.16675 -
6,000 $0.15599 -
15,000 $0.14523 -
30,000 $0.13770 -
3 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 570 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.6W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-6
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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